據日本樹脂業機構消息，日本研究開發尖端技術的技術研究協會日前發表了"超高密度電子SI（system integration）技術"的成果，并稱采用玻璃環氧系材料進行了試驗。　　
    該協會說，ASET主要在電子領域開發2010年以后所需要的基礎技術。超高密度電子SI由3種技術構成：將半導體電子元件進行超高密度3維安裝的技術，光電復合安裝技術，最佳布線結構設計關聯技術。其中光電復合安裝技術的研究目標是實現超過100Gb/s的高速光傳輸路徑，其中引人注目的是，以低成本為中心推進的光導波路薄膜轉印技術。　　
    據說過去在光電復合電路板將性能要求不同的元件安裝在同一塊電路板上，導致材料及工藝成本較高。而在轉印方式的技術中，分別在不同的制造工序上形成光導波路的薄膜與電路板，最后再將薄膜轉印到電路板上。因此光導波路的薄膜不再需要選用耐焊錫爐等高溫環境的材料。可以使用PMM以及PMMA，因此簡化制造工序。　　
    實驗中使用的電路板采用了玻璃環氧系材料，在其上面加工形成BuildUp層。然后再將膜厚50μm的光導波路薄膜（單模形式）"轉印"到該電路板上。由于電路板上加工有焊錫電阻（Solder Resistor）從而形成了15-17μm左右的凹凸狀表面，通過使用粘接劑可以消除凹凸，使光導波路薄膜平坦層疊。其結果，在光導波路薄膜上面只有納米級的粗糙度，因此估計在其上面還可以很容易地重疊數層的光導波路薄膜。